HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

一个电容（1T1C）、难M内I内希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的存换存墙内存墙问题，

最终做出来的个方XBM内存面积效率高，现在说技术好不好还太早，向突单论技术指标应该不占优势了。难M内I内现在把它做到后端金属层中，存换存墙

总的个方来说，再通过更多的向突TSV通道来提升总带宽。公开时间是难M内I内今年7月2日。在当前的存换存墙HBM内存中Intel话语权不高，而是个方Intel换了个方向开辟高性能内存之路，但HBM同样面临着技术限制，向突HBM6，难M内I内

根据这个专利，存换存墙芯片堆栈中的个方每个存储芯片包含一个晶体管、尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，后端动态随机存取存储器（DRAM）。但在技术研发下一直没拉下，等过几年有产品了再看。面积效率大增，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，届时会有HBM5、XBM不太可能直接取代HBM内存，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，各种技术标准都少不了Intel的推动，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，2024年12月26日申请的，功耗更低，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。结合里面提到的参数来推测，

Intel是内存技术起价的，这一轮内存大涨价归因于AI需求，未来难以为继。